На странице представлен фрагмент

Реши любую задачу с помощью нейросети.

Поляризация двухслойного диэлектрика Изоляционная конструкция высокого напряжения состоит из двух слоев различных изоляционных материалов (рис. 1 а). Материал первого слоя имеет относительную диэлектрическую проницаемость εr1=2,4, удельное объемное сопротивление ρν1=4,5∙1013 Ом∙м, удельное поверхностное сопротивление ρs1=5,5∙1012 Ом∙м, тангенс угла диэлектрических потерь tgδ1=2,2∙10-4 и толщину h1=2,2 мм. Материал второго слоя имеет параметры εr2=4,8, ρν2=9,4∙1013 Ом∙м, ρs2=12∙1012 Ом∙м, tgδ2=3,2∙10-4, h2=1,5 мм. Изоляционная конструкция находится между двумя электродами прямоугольной формы длиной a=600 мм, шириной b=500 мм. К электродам прикладывается постоянное напряжение U=2,0 кВ. Определить: 1. Определить параметры R1, R2, C1, C2 схемы замещения, показанной на рис. 1 в. 2. Определить установившийся сквозной ток утечки Iу при приложении к электродам постоянного напряжения U. 3. Рассчитать и начертить зависимость тока i, потребляемого от источника постоянного напряжения U от времени t после подключения его к изоляционной конструкции. 4. По известной зависимости тока от времени рассчитать и начертить зависимость сопротивления R изоляционной конструкции от времени после приложения постоянного напряжения. 5. Определить значение напряжений на каждом слое в установившемся режиме. 6. Рассчитать значение абсорбции на границе раздела двух слоев. 7. Рассчитать и построить зависимость напряжения самозаряда на каждом слое на всей конструкции от времени после отключения напряжения. 8. Рассчитать диэлектрические потери при приложении к диэлектрику постоянного напряжения U и синусоидального напряжения с действующим значением U и частотой 50 Гц.

Часть выполненной работы

В неоднородной изоляции существует дополнительный вид поляризации, который называют структурной поляризацией. Выражение для тока переходного процесса при подключении неоднородной изоляции к источнику постоянного напряжения равно: i=Iу+Iаб.Мe-tτ=UR1+R2+UR2C2-R1C12C1+C22R1∙R2R1+R2e-tτ где τ-постоянная времени заряда изоляции равна: τ=R1∙R2C1+C2R1+R2 τ=5,4∙109∙8,04∙1092,9∙10-9+8,5∙10-95,4∙109+8,04∙109=37 с Тогда Iаб.М=20008,04∙109∙8,5∙10-9-5,4∙109∙2,9∙10-922,9∙10-9+8,5∙10-92∙5,4∙109∙8,04∙1095,4∙109+8,04∙109=7,3∙10-8 А 4. Значение сопротивления изоляции от времени найдем как: R=Ui=UIу+Iаб.Мe-tτ 5. Напряжения на слоях изоляции в установившемся режиме будут равны U1=UR1R1+R2=2000∙5,4∙1095,4∙109+8,04∙109=804 В U2=UR2R1+R2=2000∙8,04∙1095,4∙109+8,04∙109=1196 В 6. Заряд абсорбции на границе раздела двух диэлектриков будет равен: Qаб=Q2-Q1=UR2C2-R1C1R1+R2 Qаб=20008,04∙109∙8,5∙10-9-5,4∙109∙2,9∙10-95,4∙109+8,04∙109=7,8∙10-6 Кл=7,8 мкКл 7. Напряжение самозаряда на отде…
   

Купить уже готовую работу

Так же вы можете купить уже выполненные похожие работы. Для удобства покупки работы размещены на независимой бирже. Подробнее об условиях покупки тут.

 
4.06
ЛМН76
Выполняю работы для студентов уже более 12-и лет, за это время написано несколько сотен курсовых , рефератов, дипломов и контрольных. Все дипломные работы были защищены с оценками "отлично" и "хорошо". Работы выполняю качественно и в срок.